Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN52D0UDMQ-7
DMN52D0UDMQ-7

DMN52D0UDMQ-7 Diodes Incorporated

Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.41A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490µW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42.4pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.49 грн
6000+6.51 грн
9000+6.15 грн
15000+5.39 грн
21000+5.17 грн
30000+4.96 грн
75000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN52D0UDMQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.41A SOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 490µW, Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42.4pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-26, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN52D0UDMQ-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN52D0UDMQ-7 Виробник : Diodes Zetex MOSFET BVDSS: 41V60V SOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN52D0UDMQ-7 Виробник : Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.