DMN52D0UV-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 5mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 480mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.21 грн |
| 6000+ | 5.72 грн |
| 9000+ | 4.94 грн |
| 30000+ | 4.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN52D0UV-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563, Supplier Device Package: SOT-563, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 5mA, 5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Power - Max: 480mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції DMN52D0UV-7 за ціною від 4.29 грн до 36.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN52D0UV-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563 Supplier Device Package: SOT-563 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 5mA, 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Power - Max: 480mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN52D0UV-7 | Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 3K |
на замовлення 1794 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| DMN52D0UV-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 5mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 480mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 5mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 480mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.81 грн |
| 14+ | 23.31 грн |
| 100+ | 11.74 грн |
| 500+ | 8.99 грн |
| 1000+ | 6.67 грн |
| DMN52D0UV-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 3K
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 3K
на замовлення 1794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.59 грн |
| 13+ | 26.69 грн |
| 100+ | 13.15 грн |
| 1000+ | 6.68 грн |
| 3000+ | 5.77 грн |
| 9000+ | 4.57 грн |
| 24000+ | 4.29 грн |