DMN52D0UVA-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 480mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.21 грн |
| 6000+ | 5.72 грн |
| 9000+ | 4.94 грн |
| 30000+ | 4.55 грн |
| 75000+ | 3.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN52D0UVA-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563, Supplier Device Package: SOT-563, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Power - Max: 480mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції DMN52D0UVA-7 за ціною від 3.87 грн до 34.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN52D0UVA-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R 3K |
на замовлення 2543 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN52D0UVA-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 480mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DMN52D0UVA-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R 3K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R 3K
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.76 грн |
| 21+ | 16.09 грн |
| 100+ | 6.40 грн |
| 1000+ | 5.84 грн |
| 3000+ | 4.50 грн |
| 9000+ | 3.87 грн |
| DMN52D0UVA-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 480mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 480mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.81 грн |
| 14+ | 23.31 грн |
| 100+ | 11.74 грн |
| 500+ | 8.99 грн |
| 1000+ | 6.67 грн |