Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN53D0L-13
DMN53D0L-13

DMN53D0L-13 Diodes Incorporated

DMN53D0L.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+3.38 грн
30000+3.20 грн
50000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN53D0L-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 370mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN53D0L-13 за ціною від 3.63 грн до 26.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN53D0L-13 DMN53D0L-13 Diodes Incorporated DMN53D0L.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.35 грн
18+17.24 грн
100+8.43 грн
500+6.60 грн
1000+4.59 грн
2000+3.98 грн
5000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0L-13 DMN53D0L-13 Diodes Incorporated DMN53D0L.pdf MOSFETs N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0L-13 DMN53D0L.pdf
DMN53D0L-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.35 грн
18+17.24 грн
100+8.43 грн
500+6.60 грн
1000+4.59 грн
2000+3.98 грн
5000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0L-13 DMN53D0L.pdf
DMN53D0L-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.