Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN53D0L-13
DMN53D0L-13

DMN53D0L-13 Diodes Incorporated

DMN53D0L.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.40 грн
30000+3.22 грн
50000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN53D0L-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 370mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN53D0L-13 за ціною від 3.65 грн до 26.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN53D0L-13 DMN53D0L-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN53D0L.pdf MOSFETs N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.31 грн
22+14.97 грн
100+8.10 грн
500+5.75 грн
1000+5.05 грн
2500+4.50 грн
5000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0L-13 DMN53D0L-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN53D0L.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.48 грн
18+17.32 грн
100+8.47 грн
500+6.63 грн
1000+4.61 грн
2000+4.00 грн
5000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0L-13 DMN53D0L-13 Виробник : Diodes Zetex dmn53d0l.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0L-13 DMN53D0L-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN53D0L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; 540mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.