DMN53D0LDW-13

DMN53D0LDW-13 Diodes Incorporated


DMN53D0LDW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Power - Max: 310mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.86 грн
20000+3.38 грн
30000+3.22 грн
50000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN53D0LDW-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN53D0LDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 360 mA, 360 mA, 1.6 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 360mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 310mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 310mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMN53D0LDW-13 за ціною від 3.79 грн до 25.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN53D0LDW-13 DMN53D0LDW-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013121091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN53D0LDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 360 mA, 360 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 360mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.67 грн
500+7.12 грн
1000+5.17 грн
5000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDW-13 DMN53D0LDW-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN53D0LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 310mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 83685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.78 грн
24+13.01 грн
100+8.14 грн
500+5.64 грн
1000+4.99 грн
2000+4.44 грн
5000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDW-13 DMN53D0LDW-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013121091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN53D0LDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 360 mA, 360 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 360mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+25.58 грн
52+15.80 грн
100+10.67 грн
500+7.12 грн
1000+5.17 грн
5000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.