Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN53D0LDW-13
DMN53D0LDW-13

DMN53D0LDW-13 Diodes Incorporated

DMN53D0LDW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.81 грн
20000+3.35 грн
30000+3.18 грн
50000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN53D0LDW-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN53D0LDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 360 mA, 360 mA, 1.6 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 360mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 310mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 310mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMN53D0LDW-13 за ціною від 3.75 грн до 25.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN53D0LDW-13 DMN53D0LDW-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013121091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN53D0LDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 360 mA, 360 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 360mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.56 грн
500+7.04 грн
1000+5.12 грн
5000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDW-13 DMN53D0LDW-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN53D0LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 83685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.53 грн
24+12.87 грн
100+8.05 грн
500+5.58 грн
1000+4.94 грн
2000+4.40 грн
5000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDW-13 DMN53D0LDW-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013121091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN53D0LDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 360 mA, 360 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 360mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+25.30 грн
52+15.63 грн
100+10.56 грн
500+7.04 грн
1000+5.12 грн
5000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDW-13 DMN53D0LDW-13 Виробник : Diodes Zetex dmn53d0ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDW-13 DMN53D0LDW-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN53D0LDW.pdf MOSFETs N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDW-13 DMN53D0LDW-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN53D0LDW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 360mA; 310mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.