на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN53D0LDW-7 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMN53D0LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 360 mA, 360 mA, 1.6 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 360mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 310mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 310mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DMN53D0LDW-7 за ціною від 2.15 грн до 23.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN53D0LDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN53D0LDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 372000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN53D0LDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN53D0LDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 372000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN53D0LDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN53D0LDW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN53D0LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 360 mA, 360 mA, 1.6 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 360mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 310mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 310mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 21570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN53D0LDW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN53D0LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 360 mA, 360 mA, 1.6 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 360mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 310mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 310mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 18613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN53D0LDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN53D0LDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs |
на замовлення 357792 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN53D0LDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 28380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN53D0LDW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMN53D0LDW-7 Multi channel transistors |
на замовлення 2180 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
DMN53D0LDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R |
товару немає в наявності |