Продукція > DIODES ZETEX > DMN53D0LDW-7
DMN53D0LDW-7

DMN53D0LDW-7 Diodes Zetex

dmn53d0ldw.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3677+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 3677
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN53D0LDW-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN53D0LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 360 mA, 360 mA, 1.6 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 360mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 310mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 310mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції DMN53D0LDW-7 за ціною від 2.05 грн до 21.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN53D0LDW-7 DMN53D0LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn53d0ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN53D0LDW-7 DMN53D0LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn53d0ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 372000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.47 грн
9000+ 3.11 грн
24000+ 2.92 грн
45000+ 2.54 грн
99000+ 2.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN53D0LDW-7 DMN53D0LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn53d0ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 372000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3165+3.68 грн
93000+ 3.36 грн
186000+ 3.13 грн
279000+ 2.84 грн
Мінімальне замовлення: 3165
DMN53D0LDW-7 DMN53D0LDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN53D0LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 324000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.93 грн
6000+ 3.62 грн
9000+ 3.13 грн
30000+ 2.88 грн
75000+ 2.39 грн
150000+ 2.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN53D0LDW-7 DMN53D0LDW-7 Виробник : DIODES INC. 2705011.pdf Description: DIODES INC. - DMN53D0LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 360 mA, 360 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 360mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+4.97 грн
1000+ 3.26 грн
5000+ 2.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
DMN53D0LDW-7 DMN53D0LDW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN53D0LDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.25A; 0.31W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.25A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+11.55 грн
80+ 4.5 грн
100+ 4.05 грн
250+ 3.19 грн
690+ 3.01 грн
Мінімальне замовлення: 35
DMN53D0LDW-7 DMN53D0LDW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN53D0LDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.25A; 0.31W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.25A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+13.86 грн
50+ 5.61 грн
100+ 4.87 грн
250+ 3.82 грн
690+ 3.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMN53D0LDW-7 DMN53D0LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn53d0ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+17.02 грн
46+ 12.68 грн
49+ 11.79 грн
123+ 4.55 грн
Мінімальне замовлення: 34
DMN53D0LDW-7 DMN53D0LDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN53D0LDW.pdf MOSFET N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs
на замовлення 392142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+18.75 грн
24+ 12.83 грн
100+ 5.71 грн
1000+ 4.38 грн
3000+ 3.39 грн
9000+ 2.99 грн
24000+ 2.79 грн
Мінімальне замовлення: 17
DMN53D0LDW-7 DMN53D0LDW-7 Виробник : DIODES INC. 2705011.pdf Description: DIODES INC. - DMN53D0LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 360 mA, 360 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 360mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
36+20.72 грн
52+ 14.53 грн
109+ 6.89 грн
500+ 4.97 грн
1000+ 3.26 грн
5000+ 2.87 грн
Мінімальне замовлення: 36
DMN53D0LDW-7 DMN53D0LDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN53D0LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 328948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.56 грн
19+ 14.67 грн
100+ 7.43 грн
500+ 5.69 грн
1000+ 4.22 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMN53D0LDW-7 DMN53D0LDW-7 Виробник : Diodes Inc dmn53d0ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
DMN53D0LDW-7 DMN53D0LDW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn53d0ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній