DMN53D0LDW-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.60 грн |
| 6000+ | 3.99 грн |
| 9000+ | 3.76 грн |
| 15000+ | 3.29 грн |
| 21000+ | 3.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN53D0LDW-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN53D0LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 360 mA, 360 mA, 1.6 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 360mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 310mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 310mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMN53D0LDW-7 за ціною від 3.00 грн до 23.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN53D0LDW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.25A; 0.31W; SOT363; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.25A Power dissipation: 0.31W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 47 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN53D0LDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363 Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Power - Max: 310mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 28380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN53D0LDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs |
на замовлення 31244 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|