Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN53D0LDWQ-7
DMN53D0LDWQ-7

DMN53D0LDWQ-7 Diodes Incorporated

DMN53D0LDWQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.46A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49.5pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.63 грн
6000+7.19 грн
9000+6.37 грн
30000+5.90 грн
75000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN53D0LDWQ-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN53D0LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 460 mA, 460 mA, 1.6 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 460mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 400mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 400mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMN53D0LDWQ-7 за ціною від 6.22 грн до 37.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN53D0LDWQ-7 DMN53D0LDWQ-7 Виробник : DIODES INC. 3168394.pdf Description: DIODES INC. - DMN53D0LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 460 mA, 460 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 460mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.75 грн
500+10.33 грн
1000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDWQ-7 DMN53D0LDWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN53D0LDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.46A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49.5pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.97 грн
13+23.64 грн
100+11.91 грн
500+9.90 грн
1000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDWQ-7 DMN53D0LDWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated diod-s-a0010592734-1.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 T&R 3K
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.75 грн
15+22.16 грн
100+12.23 грн
500+10.98 грн
1000+9.32 грн
3000+6.91 грн
6000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDWQ-7 DMN53D0LDWQ-7 Виробник : DIODES INC. 3168394.pdf Description: DIODES INC. - DMN53D0LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 460 mA, 460 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 460mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+37.71 грн
35+23.29 грн
100+14.75 грн
500+10.33 грн
1000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDWQ-7 DMN53D0LDWQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn53d0ldwq.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.46A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDWQ-7 DMN53D0LDWQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN53D0LDWQ.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.37A; Idm: 1A; 0.4W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.37A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.