DMN53D0LQ-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 876000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.54 грн |
| 6000+ | 3.23 грн |
| 9000+ | 3.05 грн |
| 15000+ | 2.81 грн |
| 21000+ | 2.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN53D0LQ-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN53D0LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 500 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 370mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DMN53D0LQ-7 за ціною від 2.68 грн до 31.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN53D0LQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN53D0LQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMN53D0LQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN53D0LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 500 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 370mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 8130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN53D0LQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN53D0LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 500 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN53D0LQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMN53D0LQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch. 50V 500mA AEC-Q101 |
на замовлення 20686 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN53D0LQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 878836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN53D0LQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| DMN53D0LQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMN53D0LQ-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 16 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
DMN53D0LQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |