Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN53D0LQ-7
DMN53D0LQ-7

DMN53D0LQ-7 Diodes Incorporated

DMN53D0LQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 876000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.53 грн
6000+3.22 грн
9000+3.04 грн
15000+2.80 грн
21000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN53D0LQ-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN53D0LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 500 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 370mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMN53D0LQ-7 за ціною від 3.05 грн до 443.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN53D0LQ-7 DMN53D0LQ-7 Diodes Zetex dmn53d0lq.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7 DMN53D0LQ-7 Diodes Zetex dmn53d0lq.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7 DMN53D0LQ-7 Diodes Zetex dmn53d0lq.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1169+12.03 грн
1181+11.90 грн
1473+9.54 грн
2187+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 1169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7 DMN53D0LQ-7 Diodes Incorporated DMN53D0LQ.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 878836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.55 грн
27+11.12 грн
100+5.07 грн
500+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7 DMN53D0LQ-7 Diodes Zetex dmn53d0lq.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.69 грн
34+22.54 грн
37+20.66 грн
100+11.60 грн
250+10.63 грн
500+8.18 грн
1000+5.51 грн
3000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7 DMN53D0LQ-7 DIODES INCORPORATED DMN53D0LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+443.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7 DMN53D0LQ-7 DIODES INC. 2814408.pdf Description: DIODES INC. - DMN53D0LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 500 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7 DMN53D0LQ-7 DIODES INC. 2814408.pdf Description: DIODES INC. - DMN53D0LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 500 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 370mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7 dmn53d0lq.pdf
DMN53D0LQ-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7 dmn53d0lq.pdf
DMN53D0LQ-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7 dmn53d0lq.pdf
DMN53D0LQ-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1169+12.03 грн
1181+11.90 грн
1473+9.54 грн
2187+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 1169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7 DMN53D0LQ.pdf
DMN53D0LQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 878836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.55 грн
27+11.12 грн
100+5.07 грн
500+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7 dmn53d0lq.pdf
DMN53D0LQ-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+31.69 грн
34+22.54 грн
37+20.66 грн
100+11.60 грн
250+10.63 грн
500+8.18 грн
1000+5.51 грн
3000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7 DMN53D0LQ.pdf
DMN53D0LQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+443.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7 2814408.pdf
DMN53D0LQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN53D0LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 500 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7 2814408.pdf
DMN53D0LQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN53D0LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 500 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 370mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.