DMN53D0LTQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 170000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 2.92 грн |
| 30000+ | 2.64 грн |
| 50000+ | 2.48 грн |
| 100000+ | 2.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN53D0LTQ-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-523, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMN53D0LTQ-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN53D0LTQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
MOSFET BVDSS: 41V60V SOT523 T&R 10K |
товару немає в наявності |
||
| DMN53D0LTQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT523 T&R 10K |
товару немає в наявності |