Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN53D0LV-7
DMN53D0LV-7

DMN53D0LV-7 Diodes Incorporated

DMN53D0LV.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.35A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.09 грн
6000+6.67 грн
9000+5.91 грн
30000+5.47 грн
75000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN53D0LV-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN53D0LV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 350 mA, 350 mA, 1.6 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 430mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 430mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMN53D0LV-7 за ціною від 5.84 грн до 38.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN53D0LV-7 DMN53D0LV-7 Виробник : DIODES INC. DMN53D0LV.pdf Description: DIODES INC. - DMN53D0LV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 350 mA, 350 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 430mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 430mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.25 грн
1000+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LV-7 DMN53D0LV-7 Виробник : DIODES INC. DMN53D0LV.pdf Description: DIODES INC. - DMN53D0LV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 350 mA, 350 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 430mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 430mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+24.80 грн
49+16.92 грн
100+8.87 грн
500+7.25 грн
1000+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LV-7 DMN53D0LV-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN53D0LV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.35A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 82000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.68 грн
14+21.89 грн
100+11.06 грн
500+9.19 грн
1000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LV-7 Виробник : Diodes Incorporated DIODS21639_1-2512530.pdf MOSFET 2N7002 Family SOT563 T&R 3K
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.10 грн
13+26.18 грн
100+14.13 грн
1000+8.57 грн
3000+6.66 грн
9000+6.59 грн
24000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LV-7 Виробник : Diodes Inc dmn53d0lv.pdf Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LV-7 Виробник : Diodes Zetex dmn53d0lv.pdf Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LV-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN53D0LV.pdf DMN53D0LV-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.