Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN53D0LV-7
DMN53D0LV-7

DMN53D0LV-7 Diodes Incorporated

DMN53D0LV.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.35A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.97 грн
6000+6.56 грн
9000+5.81 грн
30000+5.38 грн
75000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN53D0LV-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN53D0LV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 350 mA, 350 mA, 1.6 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 430mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 430mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMN53D0LV-7 за ціною від 4.92 грн до 35.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN53D0LV-7 DMN53D0LV-7 Виробник : DIODES INC. DIODS21639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN53D0LV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 350 mA, 350 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 430mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 430mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.81 грн
500+9.60 грн
1000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LV-7 DMN53D0LV-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN53D0LV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.35A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 82000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.15 грн
14+21.52 грн
100+10.87 грн
500+9.04 грн
1000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LV-7 DMN53D0LV-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN53D0LV.pdf MOSFETs 2N7002 Family SOT563 T&R 3K
на замовлення 16738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.00 грн
17+19.27 грн
100+11.35 грн
500+8.58 грн
1000+7.61 грн
3000+5.88 грн
6000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LV-7 DMN53D0LV-7 Виробник : DIODES INC. DIODS21639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN53D0LV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 350 mA, 350 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 430mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 430mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+35.46 грн
40+20.68 грн
100+13.81 грн
500+9.60 грн
1000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LV-7 DMN53D0LV-7 Виробник : Diodes Zetex dmn53d0lv.pdf Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LV-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN53D0LV.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; 430mW; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 0.43W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.