DMN53D0LW-7 Diodes Zetex


dmn53d0lw.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1430+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 1430 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN53D0LW-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN53D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 360 mA, 0.73 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 360mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 320mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm.

Інші пропозиції DMN53D0LW-7 за ціною від 3.50 грн до 15.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN53D0LW-7 DMN53D0LW-7 Diodes Incorporated DMN53D0LW.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45.8 pF @ 25 V
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.64 грн
33+9.26 грн
100+5.77 грн
500+3.97 грн
1000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-7 DMN53D0LW-7 Diodes Incorporated DMN53D0LW.pdf MOSFETs FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p
на замовлення 51044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-7 DMN53D0LW-7 DIODES INC. DMN53D0LW.pdf Description: DIODES INC. - DMN53D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 360 mA, 0.73 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 320mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm
на замовлення 6025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-7 DMN53D0LW-7 DIODES INC. DMN53D0LW.pdf Description: DIODES INC. - DMN53D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 360 mA, 0.73 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 320mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm
на замовлення 6025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-7 DMN53D0LW-7 Diodes Zetex dmn53d0lw.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1430 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-7 DMN53D0LW-7 Diodes Incorporated DMN53D0LW.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45.8 pF @ 25 V
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1720 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-7 DMN53D0LW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45.8 pF @ 25 V
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.64 грн
33+9.26 грн
100+5.77 грн
500+3.97 грн
1000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-7 DMN53D0LW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p
на замовлення 51044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-7 DMN53D0LW.pdf
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN53D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 360 mA, 0.73 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 320mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm
на замовлення 6025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-7 DMN53D0LW.pdf
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN53D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 360 mA, 0.73 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 320mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm
на замовлення 6025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-7 dmn53d0lw.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1430 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-7 DMN53D0LW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45.8 pF @ 25 V
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1720 шт
В кошику  од. на суму  грн.