DMN53D0LW-7 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN53D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 360 mA, 0.73 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 12.95 грн |
| 101+ | 8.08 грн |
| 500+ | 5.56 грн |
| 1000+ | 4.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN53D0LW-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN53D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 360 mA, 0.73 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 360mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 320mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMN53D0LW-7 за ціною від 3.49 грн до 21.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN53D0LW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45.8 pF @ 25 V |
на замовлення 2011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN53D0LW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN53D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 360 mA, 0.73 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 320mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN53D0LW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p |
на замовлення 51044 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN53D0LW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45.8 pF @ 25 V |
на замовлення 1720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
DMN53D0LW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 3-Pin SOT-323 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMN53D0LW-7 | Виробник : Diodes Inc./Zetex |
MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
DMN53D0LW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 0.7A; 420mW; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.7A Power dissipation: 0.42W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.2nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |