Продукція > DIODES INC. > DMN53D0LW-7
DMN53D0LW-7

DMN53D0LW-7 DIODES INC.

DMN53D0LW.pdf
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN53D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 360 mA, 0.73 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 320mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm
на замовлення 6025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+12.30 грн
111+7.26 грн
500+5.00 грн
1000+4.06 грн
5000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN53D0LW-7 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMN53D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 360 mA, 0.73 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 360mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 320mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm.

Інші пропозиції DMN53D0LW-7 за ціною від 3.22 грн до 21.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
DMN53D0LW-7 DMN53D0LW-7 Diodes Incorporated DMN53D0LW.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45.8 pF @ 25 V
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.50 грн
33+9.18 грн
100+5.72 грн
500+3.93 грн
1000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-7 DMN53D0LW-7 DIODES INC. DMN53D0LW.pdf Description: DIODES INC. - DMN53D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 360 mA, 0.73 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 320mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm
на замовлення 6025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+18.80 грн
66+12.30 грн
111+7.26 грн
500+5.00 грн
1000+4.06 грн
5000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-7 DMN53D0LW-7 Diodes Incorporated DMN53D0LW.pdf MOSFETs FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p
на замовлення 51044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.46 грн
25+13.15 грн
100+7.44 грн
500+5.72 грн
1000+5.03 грн
3000+4.41 грн
6000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-7 DMN53D0LW-7 Diodes Incorporated DMN53D0LW.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45.8 pF @ 25 V
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1720 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-7 DMN53D0LW.pdf
DMN53D0LW-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45.8 pF @ 25 V
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+15.50 грн
33+9.18 грн
100+5.72 грн
500+3.93 грн
1000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-7 DMN53D0LW.pdf
DMN53D0LW-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN53D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 360 mA, 0.73 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 320mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm
на замовлення 6025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
43+18.80 грн
66+12.30 грн
111+7.26 грн
500+5.00 грн
1000+4.06 грн
5000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-7 DMN53D0LW.pdf
DMN53D0LW-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p
на замовлення 51044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
15+21.46 грн
25+13.15 грн
100+7.44 грн
500+5.72 грн
1000+5.03 грн
3000+4.41 грн
6000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-7 DMN53D0LW.pdf
DMN53D0LW-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45.8 pF @ 25 V
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1720 шт
В кошику  од. на суму  грн.