Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN53D0U-13
DMN53D0U-13

DMN53D0U-13 Diodes Incorporated

DMN53D0U.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.11 грн
30000+2.94 грн
50000+2.64 грн
100000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN53D0U-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 520mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMN53D0U-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN53D0U-13 DMN53D0U-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN53D0U.pdf MOSFETs N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.