DMN53D0U-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.04 грн |
| 6000+ | 3.61 грн |
| 9000+ | 2.99 грн |
| 30000+ | 2.76 грн |
| 75000+ | 2.48 грн |
| 150000+ | 2.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN53D0U-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V, Power Dissipation (Max): 520mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 25 V.
Інші пропозиції DMN53D0U-7 за ціною від 2.37 грн до 23.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN53D0U-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch 50Vds 12Vgs FET Enh Mode 50pF 1Vgs |
на замовлення 9541 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN53D0U-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 520mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 915261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|