Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN53D0U-7
DMN53D0U-7

DMN53D0U-7 Diodes Incorporated

DMN53D0U.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 25 V
на замовлення 909000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.99 грн
6000+3.56 грн
9000+2.95 грн
30000+2.72 грн
75000+2.45 грн
150000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN53D0U-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V, Power Dissipation (Max): 520mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN53D0U-7 за ціною від 4.16 грн до 23.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN53D0U-7 DMN53D0U-7 Diodes Incorporated DMN53D0U.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 915261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.25 грн
20+15.60 грн
100+7.65 грн
500+5.98 грн
1000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0U-7 DMN53D0U-7 Diodes Incorporated DMN53D0U.pdf MOSFETs N-Ch 50Vds 12Vgs FET Enh Mode 50pF 1Vgs
на замовлення 9541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0U-7 DMN53D0U.pdf
DMN53D0U-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 915261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.25 грн
20+15.60 грн
100+7.65 грн
500+5.98 грн
1000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0U-7 DMN53D0U.pdf
DMN53D0U-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch 50Vds 12Vgs FET Enh Mode 50pF 1Vgs
на замовлення 9541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.