Продукція > DIODES INC > DMN53D0U-7
DMN53D0U-7

DMN53D0U-7 Diodes Inc

dmn53d0u.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN53D0U-7 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMN53D0U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції DMN53D0U-7 за ціною від 2.24 грн до 24.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN53D0U-7 DMN53D0U-7 Виробник : Diodes Zetex dmn53d0u.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 777000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0U-7 DMN53D0U-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN53D0U.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 25 V
на замовлення 909000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.22 грн
6000+3.77 грн
9000+3.13 грн
30000+2.88 грн
75000+2.59 грн
150000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0U-7 DMN53D0U-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN53D0U.pdf MOSFETs N-Ch 50Vds 12Vgs FET Enh Mode 50pF 1Vgs
на замовлення 9541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
29+12.20 грн
43+8.28 грн
100+5.46 грн
500+4.93 грн
1000+4.09 грн
3000+2.73 грн
6000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0U-7 DMN53D0U-7 Виробник : DIODES INC. DIODS21557-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN53D0U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.28 грн
115+7.43 грн
500+5.07 грн
1000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0U-7 DMN53D0U-7 Виробник : Diodes Zetex dmn53d0u.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+18.50 грн
54+12.91 грн
100+6.89 грн
250+6.32 грн
500+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0U-7 DMN53D0U-7 Виробник : DIODES INC. DIODS21557-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN53D0U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+19.98 грн
60+14.28 грн
115+7.43 грн
500+5.07 грн
1000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0U-7 DMN53D0U-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN53D0U.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 25 V
на замовлення 915261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.60 грн
20+16.50 грн
100+8.09 грн
500+6.33 грн
1000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0U-7 DMN53D0U-7 Виробник : Diodes Zetex dmn53d0u.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0U-7 DMN53D0U-7 Виробник : Diodes Zetex dmn53d0u.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0U-7 DMN53D0U-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN53D0U.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.3A; Idm: 0.5A; 0.52W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.52W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0U-7 DMN53D0U-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN53D0U.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.3A; Idm: 0.5A; 0.52W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.52W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.