| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 28.34 грн |
| 37+ | 20.26 грн |
| 100+ | 10.56 грн |
| 250+ | 5.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN55D0UT-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN55D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3.1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції DMN55D0UT-7 за ціною від 2.78 грн до 28.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN55D0UT-7 | Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 50V 0.16A 3-Pin SOT-523 T/R |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
DMN55D0UT-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN55D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3.1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
DMN55D0UT-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN55D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 200mW Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
DMN55D0UT-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.16A 3-Pin SOT-523 T/R |
на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 199 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMN55D0UT-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 50V 0.16A 3-Pin SOT-523 T/R
Trans MOSFET N-CH 50V 0.16A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 26+ | 28.96 грн |
| 38+ | 20.15 грн |
| 270+ | 2.78 грн |
| DMN55D0UT-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN55D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: DIODES INC. - DMN55D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMN55D0UT-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN55D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 200mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: DIODES INC. - DMN55D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 200mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMN55D0UT-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 50V 0.16A 3-Pin SOT-523 T/R
Trans MOSFET N-CH 50V 0.16A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)