Продукція > DIODES, INC. > DMN5L06-7

DMN5L06-7 DIODES, INC.

ds30614.pdf
Виробник: DIODES, INC.
MOSFET N-CHAN 50V 350MW SOT-23
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN5L06-7 DIODES, INC.

Description: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V, Supplier Device Package: SOT-23-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 2.7V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMN5L06-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN5L06-7 DMN5L06-7 Виробник : Diodes Incorporated ds30614.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 2.7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06-7 DMN5L06-7 Виробник : Diodes Incorporated ds30614.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 2.7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.