
DMN5L06DMKQ-7 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMN5L06DMKQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 305 mA, 305 mA, 2 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 23.77 грн |
500+ | 17.63 грн |
1000+ | 12.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN5L06DMKQ-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN5L06DMKQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 305 mA, 305 mA, 2 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 400mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PW Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 400mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції DMN5L06DMKQ-7 за ціною від 12.31 грн до 50.18 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMN5L06DMKQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PW Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DMN5L06DMKQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFET Dual N-Ch Enh FET 50Vdss 20Vgss 400mW |
на замовлення 56536 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
DMN5L06DMKQ-7 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
DMN5L06DMKQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 400mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 |
товару немає в наявності |