Продукція > DIODES INC. > DMN5L06K-7
DMN5L06K-7

DMN5L06K-7 DIODES INC.

DIOD-S-A0010841155-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN5L06K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 145525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.94 грн
500+9.04 грн
1000+5.05 грн
5000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN5L06K-7 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMN5L06K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції DMN5L06K-7 за ціною від 5.31 грн до 16.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN5L06K-7 DMN5L06K-7 Виробник : DIODES INC. DMN5L06K_Rev12-3_Aug2022.pdf Description: DIODES INC. - DMN5L06K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 119363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
51+16.42 грн
69+12.13 грн
107+7.76 грн
500+6.21 грн
1500+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06K-7 DMN5L06K-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0010841155_1-2543361.pdf MOSFET N-Channel
на замовлення 266928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06K-7 DMN5L06K-7 Виробник : Diodes Inc ds30929.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06K-7 DMN5L06K-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN5L06K_Rev12-3_Aug2022.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.