DMN5L06KQ-7 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN5L06KQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 13.28 грн |
| 500+ | 8.59 грн |
| 1000+ | 4.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN5L06KQ-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN5L06KQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DMN5L06KQ-7 за ціною від 3.74 грн до 33.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN5L06KQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K |
на замовлення 79903 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN5L06KQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN5L06KQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN5L06KQ-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMN5L06KQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMN5L06KQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMN5L06KQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 800mA; 350mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.8A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |