Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN6013LFG-7
DMN6013LFG-7

DMN6013LFG-7 Diodes Incorporated

DMN6013LFG.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+20.15 грн
4000+18.31 грн
6000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN6013LFG-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMN6013LFG-7 за ціною від 18.39 грн до 75.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN6013LFG-7 DMN6013LFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN6013LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 30 V
на замовлення 10917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.93 грн
10+45.27 грн
100+30.88 грн
500+23.09 грн
1000+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFG-7 DMN6013LFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN6013LFG.pdf MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.3A 2577pF
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.79 грн
10+54.00 грн
100+32.06 грн
500+26.59 грн
1000+22.79 грн
2000+19.07 грн
4000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFG-7 DMN6013LFG-7 Виробник : Diodes Inc dmn6013lfg.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6013LFG-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN6013LFG.pdf DMN6013LFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.