Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN601DMK-7
DMN601DMK-7

DMN601DMK-7 Diodes Incorporated

ds30657.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 17200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.18 грн
6000+8.96 грн
9000+8.54 грн
15000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN601DMK-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN601DMK-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 510 mA, 510 mA, 2.4 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 510mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 980mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 980mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMN601DMK-7 за ціною від 8.37 грн до 52.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN601DMK-7 DMN601DMK-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0012053433-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN601DMK-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 510 mA, 510 mA, 2.4 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 510mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DMK-7 DMN601DMK-7 Виробник : Diodes Incorporated ds30657.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 17464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.71 грн
12+27.04 грн
100+17.34 грн
500+12.36 грн
1000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DMK-7 DMN601DMK-7 Виробник : Diodes Incorporated ds30657.pdf MOSFETs Dual N-Channel
на замовлення 11547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.59 грн
11+29.27 грн
100+16.32 грн
500+12.41 грн
1000+11.16 грн
3000+9.20 грн
6000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DMK-7 DMN601DMK-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0012053433-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN601DMK-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 510 mA, 510 mA, 2.4 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 510mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+52.79 грн
26+31.81 грн
100+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DMK-7
Код товару: 144828
Додати до обраних Обраний товар

ds30657.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DMK-7 DMN601DMK-7 Виробник : Diodes Zetex ds30657.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.51A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DMK-7 DMN601DMK-7 Виробник : DIODES INCORPORATED ds30657.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 470mA; Idm: 0.85A; 980mW; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 470mA
Pulsed drain current: 0.85A
Power dissipation: 0.98W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 304pC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.