DMN601DMK-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.87 грн |
| 6000+ | 9.57 грн |
| 9000+ | 9.11 грн |
| 15000+ | 8.28 грн |
| 21000+ | 7.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN601DMK-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN601DMK-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 510 mA, 510 mA, 1.2 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 510mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 980mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 980mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN601DMK-7 за ціною від 9.14 грн до 52.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN601DMK-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.51A 6-Pin SOT-26 T/R |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN601DMK-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN601DMK-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 510 mA, 510 mA, 1.2 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 510mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 980mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 980mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN601DMK-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active |
на замовлення 23299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN601DMK-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN601DMK-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 510 mA, 510 mA, 1.2 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 510mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 980mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 980mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN601DMK-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs Dual N-Channel |
на замовлення 13904 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN601DMK-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.51A 6-Pin SOT-26 T/R |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
DMN601DMK-7 Код товару: 144828
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
DMN601DMK-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.51A 6-Pin SOT-26 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMN601DMK-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 470mA; Idm: 0.85A; 980mW; SOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 470mA Pulsed drain current: 0.85A Power dissipation: 0.98W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Gate charge: 304pC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |