Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN601DWKQ-7
DMN601DWKQ-7

DMN601DWKQ-7 Diodes Incorporated

DMN601DWKQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.71 грн
6000+4.09 грн
9000+3.86 грн
15000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN601DWKQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 200mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-363, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN601DWKQ-7 за ціною від 5.24 грн до 22.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN601DWKQ-7 DMN601DWKQ-7 Diodes Incorporated DMN601DWKQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.52 грн
23+13.54 грн
100+8.50 грн
500+5.90 грн
1000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWKQ-7 DMN601DWKQ-7 Diodes Incorporated DMN601DWKQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 20818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWKQ-7 DMN601DWKQ.pdf
DMN601DWKQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.52 грн
23+13.54 грн
100+8.50 грн
500+5.90 грн
1000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWKQ-7 DMN601DWKQ.pdf
DMN601DWKQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 20818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.