Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN601DWKQ-7
DMN601DWKQ-7

DMN601DWKQ-7 Diodes Incorporated

DMN601DWKQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1044000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.45 грн
6000+4.74 грн
9000+4.48 грн
15000+3.92 грн
21000+3.76 грн
30000+3.60 грн
75000+3.20 грн
150000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN601DWKQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 200mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN601DWKQ-7 за ціною від 3.93 грн до 25.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN601DWKQ-7 DMN601DWKQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN601DWKQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 20818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.72 грн
25+14.24 грн
100+6.57 грн
500+6.34 грн
1000+5.44 грн
3000+4.30 грн
6000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWKQ-7 DMN601DWKQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN601DWKQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1048469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.31 грн
21+15.18 грн
100+9.55 грн
500+6.64 грн
1000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DWKQ-7 DMN601DWKQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN601DWKQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 200mW; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 304pC
Power dissipation: 0.2W
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
On-state resistance: 3Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.