DMN601VK-7

DMN601VK-7 Diodes Zetex


dmn601vk.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1527000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3049+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 3049
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN601VK-7 Diodes Zetex

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 250mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-563.

Інші пропозиції DMN601VK-7 за ціною від 2.94 грн до 25.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN601VK-7 DMN601VK-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN601VK.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 381000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.10 грн
6000+4.44 грн
9000+4.20 грн
15000+3.68 грн
21000+3.53 грн
30000+3.38 грн
75000+3.01 грн
150000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601VK-7 DMN601VK-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN601VK.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 382731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.92 грн
21+14.55 грн
100+9.16 грн
500+6.38 грн
1000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601VK-7 DMN601VK-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN601VK.pdf MOSFETs Dual N-Channel
на замовлення 5617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.68 грн
21+15.44 грн
100+8.45 грн
500+6.23 грн
1000+5.54 грн
3000+4.29 грн
6000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601VK-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN601VK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 250mW; SOT563
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.25W
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
On-state resistance:
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 7 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.