DMN601VKQ-7 Diodes Zetex
на замовлення 534000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN601VKQ-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN601VKQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 2 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 250mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 250mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMN601VKQ-7 за ціною від 3.52 грн до 30.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN601VKQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN601VKQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 537000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN601VKQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN601VKQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN601VKQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 2 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN601VKQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 538440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN601VKQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 60V Dual N-Ch FET 20Vgss 250mW |
на замовлення 2083 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN601VKQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN601VKQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 2 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN601VKQ-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DMN601VKQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 250mW; SOT563 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.25W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMN601VKQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 250mW; SOT563 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.25W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |