на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 19.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN6022SSD-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN6022SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 14 A, 14 A, 0.02 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN6022SSD-13 за ціною від 18.42 грн до 93.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN6022SSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
 Description: DIODES INC. - DMN6022SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 14 A, 14 A, 0.02 ohmtariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN6022SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN6022SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 6089 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN6022SSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN6022SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 14 A, 14 A, 0.02 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMN6022SSD-13 Код товару: 178551
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
DMN6022SSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMN6022SSD-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMN6022SSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5A; Idm: 45A; 1.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 32nC On-state resistance: 34mΩ Power dissipation: 1.5W Drain current: 5A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 45A Drain-source voltage: 60V Kind of package: 13 inch reel; tape Case: SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMN6022SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMN6022SSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5A; Idm: 45A; 1.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 32nC On-state resistance: 34mΩ Power dissipation: 1.5W Drain current: 5A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 45A Drain-source voltage: 60V Kind of package: 13 inch reel; tape Case: SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD |
товару немає в наявності |