DMN6040SE-13 Diodes Incorporated


DMN6040SE.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT223 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.97 грн
5000+12.77 грн
12500+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN6040SE-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT223 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN6040SE-13 за ціною від 9.85 грн до 41.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN6040SE-13 DMN6040SE-13 Diodes Incorporated DMN6040SE.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 13136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+21.17 грн
19+17.15 грн
100+11.74 грн
500+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SE-13 DMN6040SE-13 Diodes Incorporated DMN6040SE.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT223 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
на замовлення 19939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.14 грн
10+34.13 грн
100+23.72 грн
500+17.38 грн
1000+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SE-13 DMN6040SE.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 13136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.17 грн
19+17.15 грн
100+11.74 грн
500+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SE-13 DMN6040SE.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT223 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
на замовлення 19939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.14 грн
10+34.13 грн
100+23.72 грн
500+17.38 грн
1000+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.