
DMN6040SFDE-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 13.39 грн |
6000+ | 12.78 грн |
9000+ | 12.67 грн |
15000+ | 11.88 грн |
21000+ | 11.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN6040SFDE-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN6040SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.03 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.03W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMN6040SFDE-7 за ціною від 10.03 грн до 42.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMN6040SFDE-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 258000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN6040SFDE-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 285000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN6040SFDE-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.03W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN6040SFDE-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN6040SFDE-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN6040SFDE-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V |
на замовлення 75319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN6040SFDE-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.03W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN6040SFDE-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 134109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN6040SFDE-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
DMN6040SFDE-7 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
DMN6040SFDE-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |