DMN6040SFDEQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN6040SFDEQ-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-PowerUDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції DMN6040SFDEQ-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
DMN6040SFDEQ-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020-6 T and R 10K |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMN6040SFDEQ-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020-6 T and R 10K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020-6 T and R 10K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.



