DMN6040SK3-13 Diodes Incorporated


DMN6040SK3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N CH 60V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+15.06 грн
5000+13.32 грн
7500+12.72 грн
12500+11.30 грн
17500+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN6040SK3-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N CH 60V 20A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN6040SK3-13 за ціною від 15.88 грн до 61.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN6040SK3-13 DMN6040SK3-13 Diodes Incorporated DMN6040SK3.pdf Description: MOSFET N CH 60V 20A TO252
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 81154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.99 грн
10+37.53 грн
100+24.39 грн
500+17.59 грн
1000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SK3-13 DMN6040SK3-13 Diodes Incorporated DMN6040SK3.pdf MOSFETs 60V N-CH MOSFET
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SK3-13 DMN6040SK3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N CH 60V 20A TO252
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 81154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+61.99 грн
10+37.53 грн
100+24.39 грн
500+17.59 грн
1000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SK3-13 DMN6040SK3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V N-CH MOSFET
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.