DMN6040SSD-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN6040SSD-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN6040SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.03 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN6040SSD-13 за ціною від 13.39 грн до 58.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN6040SSD-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMN6040SSD-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMN6040SSD-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMN6040SSD-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 52500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMN6040SSD-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2247500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMN6040SSD-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 1727500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMN6040SSD-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 175000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMN6040SSD-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 1755000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMN6040SSD-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMN6040SSD-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMN6040SSD-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 52500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMN6040SSD-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMN6040SSD-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.1A; 0.8W; SO8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Mounting: SMD Case: SO8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.1A On-state resistance: 55mΩ Power dissipation: 0.8W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape |
на замовлення 324 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMN6040SSD-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOPart Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.3W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMN6040SSD-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K |
на замовлення 9806 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DMN6040SSD-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN6040SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.03 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DMN6040SSD-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 39 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DMN6040SSD-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN6040SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.03 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMN6040SSD-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 14.04 грн |
| DMN6040SSD-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 14.11 грн |
| DMN6040SSD-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 14.11 грн |
| DMN6040SSD-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 14.41 грн |
| DMN6040SSD-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2247500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 15.47 грн |
| DMN6040SSD-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1727500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 15.47 грн |
| DMN6040SSD-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 175000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 15.47 грн |
| DMN6040SSD-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1755000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 15.47 грн |
| DMN6040SSD-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 15.61 грн |
| DMN6040SSD-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 15.61 грн |
| DMN6040SSD-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 17.32 грн |
| 12500+ | 15.83 грн |
| 25000+ | 14.73 грн |
| 37500+ | 13.39 грн |
| DMN6040SSD-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 25.73 грн |
| 31+ | 24.51 грн |
| 32+ | 24.00 грн |
| 100+ | 20.42 грн |
| 250+ | 14.08 грн |
| DMN6040SSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.1A; 0.8W; SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 55mΩ
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.1A; 0.8W; SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 55mΩ
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 46.43 грн |
| 18+ | 24.04 грн |
| 50+ | 17.91 грн |
| 100+ | 16.75 грн |
| 250+ | 16.00 грн |
| DMN6040SSD-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 58.12 грн |
| 10+ | 34.77 грн |
| 100+ | 22.51 грн |
| 500+ | 16.19 грн |
| 1000+ | 14.59 грн |
| DMN6040SSD-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 9806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMN6040SSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN6040SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMN6040SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMN6040SSD-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMN6040SSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN6040SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - DMN6040SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






