DMN6040SSS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 5.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 9.56 грн |
| 5000+ | 9.07 грн |
| 7500+ | 8.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN6040SSS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN6040SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN6040SSS-13 за ціною від 8.41 грн до 43.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN6040SSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 317500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN6040SSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 480000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN6040SSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 910000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN6040SSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 910000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN6040SSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 847500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN6040SSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMN6040SSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN6040SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN6040SSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 5.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V |
на замовлення 17492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMN6040SSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5 |
на замовлення 4498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN6040SSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN6040SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN6040SSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 1527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN6040SSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| DMN6040SSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMN6040SSS-13 SMD N channel transistors |
на замовлення 4247 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
DMN6040SSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
DMN6040SSS-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |