Технічний опис DMN6040SVTQ-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN6040SVTQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.03 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN6040SVTQ-13 за ціною від 16.98 грн до 16.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN6040SVTQ-13 | Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
DMN6040SVTQ-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V Dual N-Ch FET 44mOhm 10V 5.0A |
на замовлення 8703 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
DMN6040SVTQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN6040SVTQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.03 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
DMN6040SVTQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN6040SVTQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.03 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMN6040SVTQ-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 16.98 грн |
| DMN6040SVTQ-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V Dual N-Ch FET 44mOhm 10V 5.0A
MOSFETs 60V Dual N-Ch FET 44mOhm 10V 5.0A
на замовлення 8703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMN6040SVTQ-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN6040SVTQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.03 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMN6040SVTQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.03 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMN6040SVTQ-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN6040SVTQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.03 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMN6040SVTQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.03 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)