Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN6066SSD-13
DMN6066SSD-13

DMN6066SSD-13 Diodes Incorporated

DMN6066SSD.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.94 грн
5000+25.56 грн
12500+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN6066SSD-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.

Інші пропозиції DMN6066SSD-13 за ціною від 22.77 грн до 86.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN6066SSD-13 DMN6066SSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN6066SSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 24979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.73 грн
10+56.66 грн
100+44.20 грн
500+34.27 грн
1000+27.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSD-13 DMN6066SSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0000773325_1-2541972.pdf MOSFETs MOSFET,N-CHANNEL 60V, 3.6A/- 4.4A
на замовлення 16016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.27 грн
10+59.27 грн
100+36.46 грн
500+29.21 грн
1000+26.65 грн
2500+23.21 грн
5000+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSD-13 DMN6066SSD-13 Виробник : Diodes Inc 935dmn6066ssd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSD-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN6066SSD.pdf DMN6066SSD-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.