DMN6066SSD-13 Diodes Incorporated


DMN6066SSD.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+27.91 грн
5000+25.53 грн
12500+24.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN6066SSD-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SO, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502pF @ 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Power - Max: 1.8W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMN6066SSD-13 за ціною від 14.84 грн до 77.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN6066SSD-13 DMN6066SSD-13 Diodes Incorporated DMN6066SSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 24979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.67 грн
10+56.61 грн
100+44.16 грн
500+34.23 грн
1000+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSD-13 DMN6066SSD-13 Diodes Incorporated DMN6066SSD.pdf MOSFETs MOSFET,N-CHANNEL 60V, 3.6A/- 4.4A
на замовлення 9153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.62 грн
10+47.72 грн
100+27.22 грн
500+21.03 грн
1000+19.06 грн
2500+14.91 грн
5000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSD-13 DMN6066SSD.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 24979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+65.67 грн
10+56.61 грн
100+44.16 грн
500+34.23 грн
1000+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSD-13 DMN6066SSD.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET,N-CHANNEL 60V, 3.6A/- 4.4A
на замовлення 9153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+77.62 грн
10+47.72 грн
100+27.22 грн
500+21.03 грн
1000+19.06 грн
2500+14.91 грн
5000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.