Продукція > DIODES ZETEX > DMN6068SE-13

DMN6068SE-13 Diodes Zetex

Name: DMN6068SE-13
Brand: Diodes Zetex
SKU: 12715536-5
Price: 32080.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 32000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	8.02 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис DMN6068SE-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN6068SE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.1 A, 0.068 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMN6068SE-13 за ціною від 10.79 грн до 55.44 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

DMN6068SE-13

Виробник : Diodes Inc

Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 6395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
33+	10.79 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

DMN6068SE-13

Виробник : Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	12.45 грн
8000+	11.80 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

DMN6068SE-13

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 32000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	14.54 грн
8000+	13.67 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

DMN6068SE-13

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 6384 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
626+	19.41 грн

Мінімальне замовлення: 626

В кошику од. на суму грн.

DMN6068SE-13

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 6395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
20+	34.77 грн
23+	30.61 грн
100+	24.33 грн
500+	19.49 грн
1000+	14.43 грн
4000+	12.37 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DMN6068SE-13

Виробник : DIODES INC.

DIODS20377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: DIODES INC. - DMN6068SE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.1 A, 0.068 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 3838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	38.52 грн
250+	25.59 грн
1000+	16.11 грн
2000+	14.58 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN6068SE-13

Виробник : DIODES INCORPORATED

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED918C1080B4A18&compId=DMN6068SE.pdf?ci_sign=e86aeda139c972219309697d9f30d93b466730f8

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.1Ω
Drain current: 4.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V

на замовлення 2568 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	45.92 грн
13+	31.35 грн
25+	26.69 грн
50+	23.69 грн
71+	13.11 грн
194+	12.40 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN6068SE-13

Виробник : Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V

на замовлення 18498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	49.20 грн
10+	32.14 грн
100+	22.29 грн
500+	17.91 грн
1000+	14.47 грн
2000+	13.55 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN6068SE-13

Виробник : Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 TUBE 4K

на замовлення 56032 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	52.44 грн
10+	36.17 грн
100+	21.45 грн
500+	17.96 грн
1000+	15.54 грн
2000+	14.40 грн
4000+	11.52 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN6068SE-13

Виробник : DIODES INCORPORATED

на замовлення 2568 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	55.10 грн
10+	39.06 грн
25+	32.02 грн
50+	28.42 грн
71+	15.73 грн
194+	14.88 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN6068SE-13

Виробник : DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMN6068SE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.1 A, 0.068 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 3838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
16+	55.44 грн
50+	38.52 грн
250+	25.59 грн
1000+	16.11 грн
2000+	14.58 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMN6068SE-13

Виробник : DIODES/ZETEX

N-MOSFET 60V 4.1A 68mΩ 2W DMN6068SE-13 Diodes TDMN6068se
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 48 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	11.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN6068SE-13

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN6068SE-13

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.