DMN6068SE DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6068SE - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.068 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 16W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
на замовлення 12793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 54.80 грн |
| 250+ | 42.67 грн |
| 1000+ | 28.97 грн |
| 2000+ | 26.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN6068SE DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN6068SE - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.068 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 16W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMN6068SE за ціною від 24.33 грн до 72.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN6068SE | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN6068SE - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.068 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 16W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 11419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| DMN6068SE | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| DMN6068SE | Виробник : ams OSRAM | ams OSRAM |
товару немає в наявності |