Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN6069SFG-13
DMN6069SFG-13

DMN6069SFG-13 Diodes Incorporated

DMN6069SFG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 60Vgss 25A Idm
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.64 грн
10+41.89 грн
100+27.22 грн
500+21.38 грн
1000+16.53 грн
3000+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN6069SFG-13 Diodes Incorporated

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 25A; 2.4W, Polarisation: unipolar, Pulsed drain current: 25A, Drain current: 4.5A, Drain-source voltage: 60V, Gate-source voltage: ±20V, Gate charge: 25nC, On-state resistance: 63mΩ, Kind of package: 13 inch reel; tape, Power dissipation: 2.4W, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PowerDI3333-8, Mounting: SMD.

Інші пропозиції DMN6069SFG-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN6069SFG-13 DMN6069SFG-13 Diodes Incorporated DMN6069SFG.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFG-13 DIODES INCORPORATED DMN6069SFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 25A; 2.4W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 25A
Drain current: 4.5A
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 63mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.4W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFG-13 DMN6069SFG.pdf
DMN6069SFG-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFG-13 DMN6069SFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 25A; 2.4W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 25A
Drain current: 4.5A
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 63mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.4W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.