DMN6069SFG-13 Diodes Incorporated
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.21 грн |
| 10+ | 41.53 грн |
| 100+ | 26.98 грн |
| 500+ | 21.20 грн |
| 1000+ | 16.39 грн |
| 3000+ | 13.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN6069SFG-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 25A; 2.4W, Polarisation: unipolar, Pulsed drain current: 25A, Drain current: 4.5A, Drain-source voltage: 60V, Gate-source voltage: ±20V, Gate charge: 25nC, On-state resistance: 63mΩ, Kind of package: 13 inch reel; tape, Power dissipation: 2.4W, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PowerDI3333-8, Mounting: SMD.
Інші пропозиції DMN6069SFG-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN6069SFG-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333 |
товару немає в наявності |
|
| DMN6069SFG-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 25A; 2.4W Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 25A Drain current: 4.5A Drain-source voltage: 60V Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 25nC On-state resistance: 63mΩ Kind of package: 13 inch reel; tape Power dissipation: 2.4W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
