Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN6069SFGQ-13
DMN6069SFGQ-13

DMN6069SFGQ-13 Diodes Incorporated

DMN6069SFGQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.67 грн
6000+19.43 грн
15000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN6069SFGQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMN6069SFGQ-13 за ціною від 21.61 грн до 66.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN6069SFGQ-13 DMN6069SFGQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN6069SFGQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.73 грн
10+47.47 грн
100+36.41 грн
500+27.01 грн
1000+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFGQ-13 DMN6069SFGQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0003108796_1-2542219.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.04 грн
10+57.75 грн
100+38.46 грн
500+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFGQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN6069SFGQ.pdf DMN6069SFGQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.