Технічний опис DMN6069SFVW-7 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 2.5W; PowerDI3333-8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 4A, Power dissipation: 2.5W, Case: PowerDI3333-8, On-state resistance: 69mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 6.4nC.
Інші пропозиції DMN6069SFVW-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN6069SFVW-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 2.5W; PowerDI3333-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4A Power dissipation: 2.5W Case: PowerDI3333-8 On-state resistance: 69mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.4nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMN6069SFVW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 2.5W; PowerDI3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Power dissipation: 2.5W
Case: PowerDI3333-8
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 2.5W; PowerDI3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Power dissipation: 2.5W
Case: PowerDI3333-8
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.


Type-UX;-;-8-Top.jpg)
