Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN6070SFCL-7
DMN6070SFCL-7

DMN6070SFCL-7 Diodes Incorporated

DMN6070SFCL.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 3A X1-DFN1616-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.17 грн
6000+10.16 грн
9000+9.57 грн
15000+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN6070SFCL-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 3A X1-DFN1616-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerUFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V.

Інші пропозиції DMN6070SFCL-7 за ціною від 10.10 грн до 53.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN6070SFCL-7 DMN6070SFCL-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN6070SFCL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3A X1-DFN1616-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
на замовлення 21137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.27 грн
10+31.34 грн
100+20.20 грн
500+14.42 грн
1000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SFCL-7 DMN6070SFCL-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN6070SFCL.pdf MOSFETs N-Ch 31V to 99V 60V 120mOhm 606pF
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.56 грн
11+33.17 грн
100+18.82 грн
500+14.50 грн
1000+13.03 грн
3000+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SFCL-7
Код товару: 143691
Додати до обраних Обраний товар

DMN6070SFCL.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SFCL-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN6070SFCL.pdf DMN6070SFCL-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.