DMN6070SSD-13

DMN6070SSD-13 Diodes Incorporated


DMN6070SSD.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.63 грн
5000+12.03 грн
7500+11.47 грн
12500+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN6070SSD-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.

Інші пропозиції DMN6070SSD-13 за ціною від 10.90 грн до 57.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN6070SSD-13 DMN6070SSD-13 Diodes Incorporated DMN6070SSD.pdf MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 20Vgss
на замовлення 36099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.13 грн
10+33.89 грн
100+20.54 грн
500+14.07 грн
2500+10.97 грн
5000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SSD-13 DMN6070SSD-13 Diodes Incorporated DMN6070SSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
на замовлення 12906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.75 грн
10+34.44 грн
100+22.28 грн
500+15.99 грн
1000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SSD-13 DMN6070SSD.pdf
DMN6070SSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 20Vgss
на замовлення 36099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.13 грн
10+33.89 грн
100+20.54 грн
500+14.07 грн
2500+10.97 грн
5000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SSD-13 DMN6070SSD.pdf
DMN6070SSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
на замовлення 12906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.75 грн
10+34.44 грн
100+22.28 грн
500+15.99 грн
1000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.