Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN6070SSD-13 Diodes Zetex
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.
Інші пропозиції DMN6070SSD-13 за ціною від 12.68 грн до 71.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN6070SSD-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN6070SSD-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 1725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN6070SSD-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 1175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN6070SSD-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SORds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.2W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN6070SSD-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 20Vgss |
на замовлення 36099 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMN6070SSD-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 17.93 грн |
| 5000+ | 15.87 грн |
| DMN6070SSD-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 333+ | 42.59 грн |
| 476+ | 29.74 грн |
| 481+ | 29.45 грн |
| 618+ | 22.09 грн |
| 1000+ | 13.21 грн |
| DMN6070SSD-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 50.82 грн |
| 18+ | 43.01 грн |
| 25+ | 42.59 грн |
| 100+ | 28.68 грн |
| 250+ | 26.29 грн |
| 500+ | 19.63 грн |
| 1000+ | 12.68 грн |
| DMN6070SSD-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 71.29 грн |
| 10+ | 42.98 грн |
| 100+ | 28.03 грн |
| 500+ | 20.26 грн |
| 1000+ | 18.31 грн |
| DMN6070SSD-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 20Vgss
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 20Vgss
на замовлення 36099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





