DMN6070SY-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 9.46 грн |
| 5000+ | 8.29 грн |
| 7500+ | 7.87 грн |
| 12500+ | 6.77 грн |
| 17500+ | 6.69 грн |
| 25000+ | 6.44 грн |
| 62500+ | 6.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN6070SY-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: SOT-89-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції DMN6070SY-13 за ціною від 7.67 грн до 42.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN6070SY-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-89-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 173665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN6070SY-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 4065 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| DMN6070SY-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 173665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.93 грн |
| 13+ | 24.84 грн |
| 100+ | 15.65 грн |
| 500+ | 11.26 грн |
| 1000+ | 10.09 грн |
| DMN6070SY-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 4065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.34 грн |
| 13+ | 25.80 грн |
| 100+ | 14.42 грн |
| 500+ | 10.90 грн |
| 1000+ | 9.70 грн |
| 2500+ | 8.72 грн |
| 5000+ | 7.67 грн |