Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN6070SY-13
DMN6070SY-13

DMN6070SY-13 Diodes Incorporated

DMN6070SY.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588 pF @ 30 V
на замовлення 172500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+10.01 грн
5000+8.78 грн
7500+8.34 грн
12500+7.16 грн
17500+7.08 грн
25000+6.82 грн
62500+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN6070SY-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-89-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMN6070SY-13 за ціною від 8.44 грн до 46.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN6070SY-13 DMN6070SY-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN6070SY.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588 pF @ 30 V
на замовлення 173665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.40 грн
13+26.30 грн
100+16.57 грн
500+11.93 грн
1000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SY-13 DMN6070SY-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0003108788_1-2542436.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 4065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.62 грн
13+28.41 грн
100+15.88 грн
500+12.00 грн
1000+10.69 грн
2500+9.60 грн
5000+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SY-13 DMN6070SY-13 Виробник : Diodes Inc 22dmn6070sy.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.