DMN6070SY-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 9.48 грн |
| 5000+ | 8.31 грн |
| 7500+ | 7.90 грн |
| 12500+ | 6.79 грн |
| 17500+ | 6.71 грн |
| 25000+ | 6.46 грн |
| 62500+ | 6.12 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN6070SY-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-89-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588 pF @ 30 V.
Інші пропозиції DMN6070SY-13 за ціною від 8.20 грн до 45.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN6070SY-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-89-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588 pF @ 30 V |
на замовлення 173665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN6070SY-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 4065 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| DMN6070SY-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588 pF @ 30 V
на замовлення 173665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 42.06 грн |
| 13+ | 24.91 грн |
| 100+ | 15.69 грн |
| 500+ | 11.30 грн |
| 1000+ | 10.12 грн |
| DMN6070SY-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 4065 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 45.29 грн |
| 12+ | 27.60 грн |
| 100+ | 15.42 грн |
| 500+ | 11.66 грн |
| 1000+ | 10.38 грн |
| 2500+ | 9.33 грн |
| 5000+ | 8.20 грн |