DMN6075S-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.71 грн |
| 20+ | 15.36 грн |
| 100+ | 6.35 грн |
| 500+ | 5.81 грн |
| 1000+ | 5.16 грн |
| 2000+ | 4.82 грн |
| 5000+ | 4.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN6075S-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V.
Інші пропозиції DMN6075S-13 за ціною від 3.70 грн до 31.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN6075S-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF |
на замовлення 9470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|