Продукція > DIODES ZETEX > DMN6075S-13
DMN6075S-13

DMN6075S-13 Diodes Zetex

922766367128766dmn6075s.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1000000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN6075S-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V.

Інші пропозиції DMN6075S-13 за ціною від 3.67 грн до 30.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN6075S-13 DMN6075S-13 Виробник : Diodes Zetex 922766367128766dmn6075s.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.39 грн
20000+4.34 грн
30000+4.30 грн
50000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-13 DMN6075S-13 Виробник : Diodes Zetex 922766367128766dmn6075s.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.92 грн
20000+4.83 грн
30000+4.71 грн
50000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-13 DMN6075S-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN6075S.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
на замовлення 9519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.48 грн
20+15.22 грн
100+6.30 грн
500+5.76 грн
1000+5.12 грн
2000+4.78 грн
5000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-13 DMN6075S-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN6075S.pdf MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF
на замовлення 9470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.77 грн
15+21.26 грн
100+7.55 грн
1000+4.78 грн
2500+4.43 грн
10000+3.95 грн
20000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-13 DMN6075S-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN6075S.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.