| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 4.47 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
10000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN6075S-13 Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V.
Інші пропозиції DMN6075S-13 за ціною від 3.85 грн до 26.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN6075S-13 | Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN6075S-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN6075S-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V |
на замовлення 9519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN6075S-13 | Diodes Incorporated |
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF |
на замовлення 9470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMN6075S-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 4.48 грн |
| 20000+ | 4.43 грн |
| 30000+ | 4.38 грн |
| 50000+ | 3.85 грн |
| DMN6075S-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 5.38 грн |
| 20000+ | 5.28 грн |
| 30000+ | 5.15 грн |
| 50000+ | 4.52 грн |
| DMN6075S-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
на замовлення 9519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 26.41 грн |
| 20+ | 15.18 грн |
| 100+ | 6.28 грн |
| 500+ | 5.75 грн |
| 1000+ | 5.10 грн |
| 2000+ | 4.76 грн |
| 5000+ | 4.35 грн |
| DMN6075S-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF
на замовлення 9470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)