на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3402+ | 3.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN6075S-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN6075S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.069 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 800mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Knipex - Diagonal Side Cutters, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.069ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMN6075S-7 за ціною від 2.99 грн до 29.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN6075S-7 | Виробник : Diodes Inc |
 Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN6075S-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 564000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN6075S-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN6075S-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 564000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN6075S-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN6075S-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN6075S-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN6075S-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN6075S-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN6075S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.069 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 800mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Knipex - Diagonal Side Cutters productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.069ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN6075S-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN6075S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.069 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Knipex - Diagonal Side Cutters productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN6075S-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V |
на замовлення 75029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN6075S-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF |
на замовлення 144548 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN6075S-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMN6075S-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 2181 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
DMN6075S-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |