Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN6075S-7
DMN6075S-7

DMN6075S-7 Diodes Incorporated

DMN6075S.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.05 грн
6000+4.39 грн
9000+4.14 грн
15000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN6075S-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN6075S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMN6075S-7 за ціною від 5.45 грн до 30.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN6075S-7 DMN6075S-7 DIODES INCORPORATED DMN6075S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.75 грн
33+12.69 грн
50+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7 DMN6075S-7 Diodes Incorporated DMN6075S.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
на замовлення 19692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.02 грн
22+14.18 грн
100+8.85 грн
500+6.15 грн
1000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7 DMN6075S-7 DIODES INC. DMN6075S.pdf Description: DIODES INC. - DMN6075S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.86 грн
50+18.88 грн
100+11.89 грн
500+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7 DMN6075S-7 Diodes Incorporated DMN6075S.pdf MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF
на замовлення 144548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7 Diodes INC. DMN6075S.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 606 @ 20, 1, Qg, нКл = 12,3, Rds = 75 мОм, Ugs(th) = 1...3 В, Р, Вт = 1,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7 DMN6075S.pdf
DMN6075S-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+18.75 грн
33+12.69 грн
50+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7 DMN6075S.pdf
DMN6075S-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
на замовлення 19692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.02 грн
22+14.18 грн
100+8.85 грн
500+6.15 грн
1000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7 DMN6075S.pdf
DMN6075S-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN6075S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+30.86 грн
50+18.88 грн
100+11.89 грн
500+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7 DMN6075S.pdf
DMN6075S-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF
на замовлення 144548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7 DMN6075S.pdf
Виробник: Diodes INC.
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 606 @ 20, 1, Qg, нКл = 12,3, Rds = 75 мОм, Ugs(th) = 1...3 В, Р, Вт = 1,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.