DMN6075S-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.11 грн |
| 6000+ | 4.44 грн |
| 9000+ | 4.19 грн |
| 15000+ | 3.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN6075S-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN6075S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMN6075S-7 за ціною від 3.62 грн до 31.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN6075S-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.5A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1161 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN6075S-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V |
на замовлення 19692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN6075S-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF |
на замовлення 144548 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN6075S-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN6075S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN6075S-7 | Виробник : Diodes INC. |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 606 @ 20, 1, Qg, нКл = 12,3, Rds = 75 мОм, Ugs(th) = 1...3 В, Р, Вт = 1,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|