Продукція > DIODES ZETEX > DMN6075SQ-13
DMN6075SQ-13

DMN6075SQ-13 Diodes Zetex

dmn6075sq.pdf Виробник: Diodes Zetex
60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN6075SQ-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN6075SQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.069 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm.

Інші пропозиції DMN6075SQ-13 за ціною від 7.74 грн до 42.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN6075SQ-13 DMN6075SQ-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009189360-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN6075SQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.069 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 11909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.57 грн
250+15.27 грн
1000+11.04 грн
5000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SQ-13 DMN6075SQ-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009189360-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN6075SQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.069 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 11909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+30.45 грн
50+18.57 грн
250+15.27 грн
1000+11.04 грн
5000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SQ-13 DMN6075SQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009189360_1-2543140.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 10K
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.74 грн
13+26.73 грн
100+15.89 грн
1000+10.15 грн
10000+8.53 грн
20000+8.46 грн
50000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SQ-13 DMN6075SQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN6075SQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.18 грн
13+24.68 грн
100+15.71 грн
500+11.11 грн
1000+9.93 грн
2000+8.94 грн
5000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SQ-13 Виробник : Diodes Inc DMN6075SQ.pdf MOSFET BVDSS: 41V60V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SQ-13 DMN6075SQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmn6075sq.pdf 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN6075SQ.pdf DMN6075SQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SQ-13 DMN6075SQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN6075SQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.