Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN60H080DS-13
DMN60H080DS-13

DMN60H080DS-13 Diodes Incorporated

DMN60H080DS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100Ohm @ 60mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
на замовлення 530000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.88 грн
20000+4.35 грн
30000+4.17 грн
50000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN60H080DS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100Ohm @ 60mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN60H080DS-13 за ціною від 4.10 грн до 23.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN60H080DS-13 DMN60H080DS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN60H080DS.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100Ohm @ 60mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
на замовлення 536060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.38 грн
23+13.65 грн
100+9.20 грн
500+6.65 грн
1000+5.99 грн
2000+5.43 грн
5000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMN60H080DS-13 DMN60H080DS-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0003383574_1-2542253.pdf MOSFETs MOSFETBVDSS: 501V-650V
на замовлення 16356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.06 грн
23+15.07 грн
100+6.81 грн
1000+5.56 грн
2500+4.98 грн
10000+4.32 грн
20000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMN60H080DS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN60H080DS.pdf DMN60H080DS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.