Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN6140L-13
DMN6140L-13

DMN6140L-13 Diodes Incorporated

DMN6140L.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V
на замовлення 22800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+5.40 грн
20000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN6140L-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V.

Інші пропозиції DMN6140L-13 за ціною від 4.46 грн до 29.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN6140L-13 DMN6140L-13 DIODES INCORPORATED DMN6140L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.7W
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
на замовлення 6280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+16.97 грн
35+11.94 грн
50+8.69 грн
100+7.60 грн
500+5.71 грн
1000+5.09 грн
2000+4.54 грн
5000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-13 DMN6140L-13 Diodes Incorporated DMN6140L.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V
на замовлення 28020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.45 грн
18+17.46 грн
100+11.01 грн
500+7.70 грн
1000+6.85 грн
2000+6.14 грн
5000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-13 DMN6140L-13 Diodes Incorporated DMN6140L.pdf MOSFETs 31V to 99V N-Ch FET 60Vds 20Vgs 2.3A
на замовлення 335960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-13 DIODES INC. DIOD-S-A0000216580-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN6140L-13 - MOSFET, N-KANAL, 60V, 1.6A, SOT23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+19.93 грн
61+13.18 грн
250+8.20 грн
1000+5.18 грн
5000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-13 DMN6140L.pdf
DMN6140L-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.7W
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
на замовлення 6280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+16.97 грн
35+11.94 грн
50+8.69 грн
100+7.60 грн
500+5.71 грн
1000+5.09 грн
2000+4.54 грн
5000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-13 DMN6140L.pdf
DMN6140L-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V
на замовлення 28020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.45 грн
18+17.46 грн
100+11.01 грн
500+7.70 грн
1000+6.85 грн
2000+6.14 грн
5000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-13 DMN6140L.pdf
DMN6140L-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 31V to 99V N-Ch FET 60Vds 20Vgs 2.3A
на замовлення 335960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-13 DIOD-S-A0000216580-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN6140L-13 - MOSFET, N-KANAL, 60V, 1.6A, SOT23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
41+19.93 грн
61+13.18 грн
250+8.20 грн
1000+5.18 грн
5000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.