на замовлення 510000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 3.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN6140L-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN6140L-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 700mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMN6140L-13 за ціною від 2.89 грн до 17.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN6140L-13 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 510000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN6140L-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V |
на замовлення 2240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN6140L-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN6140L-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN6140L-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN6140L-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN6140L-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 700mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 6365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN6140L-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V |
на замовлення 2243569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN6140L-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN6140L-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 6365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN6140L-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 31V to 99V N-Ch FET 60Vds 20Vgs 2.3A |
на замовлення 519139 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN6140L-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23 Kind of package: 13 inch reel; tape Case: SOT23 Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.2A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.7W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 10A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMN6140L-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23 Kind of package: 13 inch reel; tape Case: SOT23 Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.2A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.7W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 10A Mounting: SMD |
товару немає в наявності |