на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN6140L-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN6140L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMN6140L-7 за ціною від 3.07 грн до 29.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN6140L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN6140L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2892000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN6140L-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN6140L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN6140L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN6140L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN6140L-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN6140L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 56354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN6140L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V |
на замовлення 78878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN6140L-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN6140L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 48008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN6140L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 31V to 99V N-Ch FET 60Vds 20Vgs 2.3A |
на замовлення 99981 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN6140L-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMN6140L-7 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |