Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN6140LQ-13
DMN6140LQ-13

DMN6140LQ-13 Diodes Incorporated

DMN6140LQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+7.10 грн
20000+6.41 грн
30000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN6140LQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMN6140LQ-13 за ціною від 5.91 грн до 36.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN6140LQ-13 DMN6140LQ-13 DIODES INCORPORATED DMN6140LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.4W; SOT23-3
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23-3
Gate charge: 8.6nC
On-state resistance: 0.17Ω
Power dissipation: 0.4W
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
на замовлення 5252 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.53 грн
23+19.22 грн
100+12.36 грн
500+9.06 грн
1000+8.04 грн
2000+7.11 грн
2500+6.94 грн
5000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140LQ-13 DMN6140LQ-13 Diodes Incorporated DMN6140LQ.pdf MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 10A
на замовлення 10933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.22 грн
16+21.51 грн
100+12.17 грн
500+9.07 грн
1000+7.31 грн
5000+6.33 грн
10000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140LQ-13 DMN6140LQ-13 Diodes Incorporated DMN6140LQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 58980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.39 грн
15+21.71 грн
100+10.67 грн
500+8.93 грн
1000+7.13 грн
2000+6.92 грн
5000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140LQ-13 DMN6140LQ.pdf
DMN6140LQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.4W; SOT23-3
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23-3
Gate charge: 8.6nC
On-state resistance: 0.17Ω
Power dissipation: 0.4W
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
на замовлення 5252 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+25.53 грн
23+19.22 грн
100+12.36 грн
500+9.06 грн
1000+8.04 грн
2000+7.11 грн
2500+6.94 грн
5000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140LQ-13 DMN6140LQ.pdf
DMN6140LQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 10A
на замовлення 10933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.22 грн
16+21.51 грн
100+12.17 грн
500+9.07 грн
1000+7.31 грн
5000+6.33 грн
10000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140LQ-13 DMN6140LQ.pdf
DMN6140LQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 58980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.39 грн
15+21.71 грн
100+10.67 грн
500+8.93 грн
1000+7.13 грн
2000+6.92 грн
5000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.