Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN6140LQ-7
DMN6140LQ-7
DMN6140LQ-7
DMN6140LQ-7DMN6140LQ-7

DMN6140LQ-7 DIODES INCORPORATED

DMN6140LQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.7W
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+31.25 грн
20+21.31 грн
50+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN6140LQ-7 DIODES INCORPORATED

Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN6140LQ-7 за ціною від 5.94 грн до 29.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN6140LQ-7 DMN6140LQ-7 Diodes Incorporated DMN6140LQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.31 грн
6000+6.01 грн
9000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140LQ-7 DMN6140LQ-7 Diodes Incorporated DMN6140LQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.45 грн
15+20.22 грн
100+8.94 грн
500+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140LQ-7 DMN6140LQ-7 Diodes Incorporated DMN6140L.pdf MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 10A
на замовлення 208462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140LQ-7 DMN6140LQ.pdf
DMN6140LQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.31 грн
6000+6.01 грн
9000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140LQ-7 DMN6140LQ.pdf
DMN6140LQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.45 грн
15+20.22 грн
100+8.94 грн
500+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140LQ-7 DMN6140L.pdf
DMN6140LQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 10A
на замовлення 208462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.