Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN61D8LQ-13
DMN61D8LQ-13

DMN61D8LQ-13 Diodes Incorporated

DMN61D8LQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Power Dissipation (Max): 390mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+10.13 грн
30000+9.53 грн
50000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN61D8LQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V, Power Dissipation (Max): 390mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V.

Інші пропозиції DMN61D8LQ-13 за ціною від 9.22 грн до 35.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN61D8LQ-13 DMN61D8LQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN61D8LQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Power Dissipation (Max): 390mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V
на замовлення 189447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.75 грн
11+28.12 грн
100+19.51 грн
500+14.30 грн
1000+11.62 грн
2000+10.39 грн
5000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LQ-13 DMN61D8LQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0002832699_1-2541996.pdf MOSFETs 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW
на замовлення 15411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.47 грн
12+29.88 грн
100+18.07 грн
500+14.08 грн
1000+10.23 грн
2500+9.80 грн
10000+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LQ-13 DMN61D8LQ-13 Виробник : Diodes Inc 41592961582515dmn61d8lq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN61D8LQ.pdf DMN61D8LQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.