Продукція > DIODES INC > DMN61D8LQ-7
DMN61D8LQ-7

DMN61D8LQ-7 Diodes Inc

41592961582515dmn61d8lq.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN61D8LQ-7 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMN61D8LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 470mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 390mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 390mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції DMN61D8LQ-7 за ціною від 10.61 грн до 42.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN61D8LQ-7 DMN61D8LQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002832699-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN61D8LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 470mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 390mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.21 грн
500+17.13 грн
1000+12.24 грн
3000+11.73 грн
6000+11.15 грн
12000+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LQ-7 DMN61D8LQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN61D8LQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Power Dissipation (Max): 390mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.60 грн
19+16.98 грн
100+16.82 грн
500+14.17 грн
1000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LQ-7 DMN61D8LQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0002832699_1-2541996.pdf MOSFET 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW
на замовлення 20490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.85 грн
11+31.90 грн
100+20.62 грн
500+16.52 грн
1000+12.73 грн
3000+10.76 грн
9000+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LQ-7 DMN61D8LQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002832699-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN61D8LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 470mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 390mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+42.09 грн
25+35.20 грн
100+23.21 грн
500+17.13 грн
1000+12.24 грн
3000+11.73 грн
6000+11.15 грн
12000+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LQ-7 DMN61D8LQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN61D8LQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Power Dissipation (Max): 390mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.