на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN61D8LQ-7 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMN61D8LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 470mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 390mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 390mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції DMN61D8LQ-7 за ціною від 8.64 грн до 40.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN61D8LQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Power Dissipation (Max): 390mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMN61D8LQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN61D8LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 470mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 390mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 390mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 14405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN61D8LQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Power Dissipation (Max): 390mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V |
на замовлення 94540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMN61D8LQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW |
на замовлення 20490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN61D8LQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN61D8LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 470mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 390mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 390mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 14405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|